展望未來！暢想2023年手機圈可能推出的新技術(shù)

　　辭舊迎新，一轉(zhuǎn)入了2023年眼就已經(jīng)踏，在過去的一年里手機圈的驚喜不斷，衛(wèi)星消息、自研芯片、移動端光追、一英寸大底以及210W快充等等，各種新技術(shù)層出不窮，讓人驚喜不已，手機在新技術(shù)的加持下也開發(fā)了更多的可能性，完善了各方面的性能。那在新的一年里我們又會迎來哪些驚喜呢?今天就一起來暢想2023。

　　高品音質(zhì)，OPPO自研藍牙芯片馬里亞納Y

　　2021年的OPPO未來科技大會上，OPPO官宣了自家的第一顆自研影像芯片馬里亞納X，這枚影像芯片誕生將OPPO在影像技術(shù)上提高了一個層次。去年的未來科技大會上，OPPO也官宣了自家的第二顆自研芯片馬里亞納Y。隨著移動音頻的快速發(fā)展，產(chǎn)品同質(zhì)化、用戶需求高端化、體驗精細化，不斷沖擊著各大廠商，在音頻方面需要“破冰”了。OPPO這枚自研芯片就是在藍牙音頻方面的技術(shù)芯片。

　　馬里亞納Y芯片在藍牙音頻上的創(chuàng)新首先就是傳輸速率，通過首創(chuàng)的超高速藍牙解決方案，集成了比傳統(tǒng)藍牙快400%還是目前行業(yè)最快的12Mbps藍牙速率，加上OPPO定制研發(fā)性能領(lǐng)先的URLC無損編碼首次實現(xiàn)了192KHz/24bit無損音頻的無線傳輸。OPPO的這一技術(shù)創(chuàng)新，直接將被“限高”的無損音頻實現(xiàn)了傳輸自自由。

　　在影像上面，AI算力已經(jīng)被廣泛運用技術(shù)也很成熟了，OPPO的馬里亞納X就是運用在影像上面的AI算法芯片，能讓影像更加出色。不過在音頻領(lǐng)域AI算法卻沒有普及，所以O(shè)PPO的這枚自研芯片馬里亞納Y，就加入了AI算法。作為首個集成NPU單元的藍牙音頻SoC，馬里亞納Y高性能NPU單元的算力達到了超前的590GOPS，不過馬里亞納Y的集成的高性能DSP算力則為25GOPS，但也是行業(yè)最強DSP性能之一了。本身超強的算力再加上先進的AI算法，使得馬里亞納Y在音頻方面取得不錯的成績，而且馬里亞納Y還首次實現(xiàn)了在音頻端側(cè)的聲音分離技術(shù)。

　　馬里亞納Y在6nm制程工藝的基礎(chǔ)上，進一步拓展至全球最先進的N6RF射頻芯片工藝。這是OPPO首次應(yīng)用全球最先進的工藝制程，這也意味著OPPO掌握了先進制程應(yīng)用于射頻系統(tǒng)的能力。兩枚自研的芯片，讓OPPO在自研技術(shù)上走出了一大步，OPPO新技術(shù)的成熟也會帶來手機上的性能突破不斷給用戶帶來驚喜。

　　閃充技術(shù)突破，真我realme支持240W閃充

　　真我realme宣布在1月5號舉行閃充技術(shù)溝通大會，主題是“超級登頂手機閃充最終章”，大會上會介紹真我的全新閃充技術(shù)240W快速閃充。國內(nèi)的手機品牌對閃充技術(shù)一直都很執(zhí)著，從67W快充到現(xiàn)如今的上百萬快充，可以說手機的閃充技術(shù)已經(jīng)越來越完善。此次的真我240W閃充將達到現(xiàn)階段Type-C3.1協(xié)議的最高功率，這對手機來說是一個重大技術(shù)突破。

　　根據(jù)此前信息稱，真我GTNeo5將是首發(fā)搭載此次240W閃充技術(shù)的手機。真我GTNeo5的標準版支持150W有線快充，而真我GTNeo5的高配版將支持240W有線快充。

　　真我240W超級閃充采用的是通用的USB-C充電器，輸出參數(shù)為24V10A，由兩顆電荷泵直接輸出到雙串電池組。進入手機后，電力通過電荷泵轉(zhuǎn)換成10V/24A進行高壓直充，新一代電芯支持更高倍率充電，單電芯電流可達12A。在240W超級閃充加持下，9分鐘即可將等效4500mAh電池容量的手機充至100%，手機充電時間速度首次邁進個位數(shù)。

　　真我的240W快充技術(shù)是整個充電鏈路的全面升級，在適配器、線材和電池電芯上都做了升級處理，能夠全程保證充電時的溫控和安全，還能減少發(fā)熱。

　　真我手機一直都是在國內(nèi)走中低端機型，就像去年推出的真我GTNeo3就將150W閃充進入到中端市場。很多機型也開始普及200W快充，相信閃充技術(shù)的不斷完善，會減少消費者的充電焦慮的。

　　3nm工藝制程，手機芯片的新臺階

　　此前消息稱，iPhone15將會采用A17芯片，而A17芯片是采用臺積電3nm工藝制程，三星在去年上半年也宣布生產(chǎn)3nm工藝。

　　臺積電表示，3nm工藝下功耗將降低25%~30%，性能可提升10%~15%，晶體管密度提升約70%。N3工藝的SRAM單元的面積為0.0199平方微米，相比N5縮小了5%。在工藝選擇上，臺積電的3nm芯片選擇了增強FinFET技術(shù)，SRAM密度增加20%，模擬密度增加10%，而且臺積電已經(jīng)開始量產(chǎn)。

　　從臺積電3nm工藝上可以看出，這次的3nm主打的是降低手機能耗，提高手機的續(xù)航能力，而對于手機性能的提升并不是很高。這個對于電競手機來說可謂是很強的加持，降低了手機的能耗加強了續(xù)航能力，手機的發(fā)燙發(fā)熱情況就會得到緩解，對于電競機來說是很好的加持。

　　每一次工藝的升級都代表著手機芯片的升級，雖然目前消息顯示只有蘋果公司現(xiàn)在再使用臺積電的3nm工藝，但在臺積電對3nm工藝技術(shù)的不斷完善相信安卓的兩個芯片巨頭高通和聯(lián)發(fā)科也會加入到使用3nm工藝制程的時候，到時候手機的芯片又能迎來一次升級。

　　三星屏幕不同區(qū)域可變刷新率

　　三星的顯示屏技術(shù)一直都是比較前列的，三星S20是第一個采用120Hz固定刷新率的產(chǎn)品，S21Ultra和后面的S22都采用了可變刷新率的屏幕，可變刷新率屏幕可以根據(jù)顯示的內(nèi)容調(diào)整刷新率，達到增加手機續(xù)航的能力。就在不久前，三星在顯示屏上申請了新的專利，可以在一塊屏幕上的多個區(qū)域，同時應(yīng)用不同刷新率的顯示技術(shù)。

　　三星表示這種技術(shù)可以“以多種刷新頻率驅(qū)動顯示器的方法”讓顯示器“以不同的驅(qū)動頻率驅(qū)動多個顯示區(qū)域”。也就是說屏幕一部分可以以30Hz或60Hz的刷新率呈現(xiàn)，而另一部分以120Hz的頻率呈現(xiàn)。

　　這個技術(shù)的研發(fā)目的就是降低功耗，提升能耗比�，F(xiàn)在的旗艦機基本上都是120Hz的屏幕刷新率，手機若是一直都是120Hz高刷狀態(tài)耗電量會很快，如果有一部分以更低的刷新率顯示，屏幕使用最多的另外一部分以120Hz運行，不僅可以增加顯示的能力，還可以進一步優(yōu)化手機續(xù)航。

　　這項技術(shù)如果能真正投入使用，那對手機的能效下降將是很好的辦法。但是此項技術(shù)也有很大的問題，全球流行通用的APP有一千多款，每款軟件都要進行調(diào)試對三星來說工程量太大。但是此專利是2021年初就提交的，最近才公布，或許三星已經(jīng)找到了解決辦法。

　　總結(jié)

　　在手機新技術(shù)上，手機廠商越來越卷，到目前為止，手機性能提升有3nm工藝制程的芯片，在手機配件上，OPPO的自研藍牙芯片馬里亞納Y，240W閃充充電技術(shù)還有三星的不同區(qū)域可變刷新率顯示屏技術(shù)，都將手機朝著更高級方向推進。未來還會有什么新技術(shù)，我們期待一下吧。