三星積極推進第五代HBM3e：傳輸速度高達1.228 TB/s

2023-10-19 16:30:32   來源：快科技   評論：0   [收藏]   [評論]
導(dǎo)讀：　　快科技10月19日消息，三星目前正在加快開發(fā)第五代HBM3eShinebolt�！　〗�(jīng)初步測試，Shinebolt的最大數(shù)據(jù)傳輸速度將比上一代有所提升，預(yù)計將達到1 228TB s，比SK海力士的HBM3e(最大數(shù)據(jù)傳輸速度為1 15TB s)更
　　快科技10月19日消息，三星目前正在加快開發(fā)第五代HBM3e“Shinebolt”。

　　經(jīng)初步測試，“Shinebolt”的最大數(shù)據(jù)傳輸速度將比上一代有所提升，預(yù)計將達到1.228TB/s，比SK海力士的HBM3e(最大數(shù)據(jù)傳輸速度為1.15TB/s)更快。

　　同時“Shinebolt”還采用了最新的12層垂直堆疊方案，能夠在單個HBM3e封裝上實現(xiàn)高達36GB的容量，而原型版本使用的8層堆疊方案僅實現(xiàn)了24GB的容量。

　　據(jù)悉，HBM(High Bandwidth Memory)屬于垂直連接多個DRAM，與DRAM相比顯著提升數(shù)據(jù)處理速度的高附加值、高性能產(chǎn)品。

　　HBM DRAM產(chǎn)品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開發(fā)，其中HBM3e是HBM3的擴展(Extended)版本。HBM被認(rèn)為是人工智能時代的新一代DRAM。

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責(zé)任編輯：zsz

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