比硬盤還大,三星計(jì)劃2024年推出1TB單條DDR5內(nèi)存
跟此前的 DDR4 相比,DDR5 內(nèi)存將電壓降低到了 1.1V,頻率可達(dá)到 7200MHz 以上,bank 數(shù)量翻倍到 32 個(gè),預(yù)取位數(shù)也翻倍到 16n。三星計(jì)劃在 2023 年將內(nèi)存核心容量提高到 32Gb,堆棧層數(shù)提高到 8H。在 2024 年,三星計(jì)劃推出 1TB 單條 DDR5 內(nèi)存,該內(nèi)存將使用 32 個(gè) 8-Hi 32GB 堆棧,適配 2024 年-2025 年發(fā)布的服務(wù)器平臺(tái)。
除了容量提升,三星還計(jì)劃進(jìn)一步提升 DDR5 內(nèi)存的速度。三星 PPT 顯示其將在 2025 年發(fā)布 DDR5-7200,預(yù)計(jì)其傳輸速率將達(dá)到 10,000+MT / s。
IT之家了解到,此前有消息稱,三星正在開發(fā) DDR6 內(nèi)存,該內(nèi)存將采用 MSAP 封裝技術(shù),預(yù)計(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)大約 12800Mbps 的傳輸速率。對(duì)于 DDR6 內(nèi)存,單條達(dá)到 1TB 應(yīng)該較為輕松。不過(guò)現(xiàn)在看來(lái) ,三星可能在 DDR5 時(shí)代就實(shí)現(xiàn)單條 1TB 的設(shè)計(jì)。
雖然單條 1TB 對(duì)于消費(fèi)者來(lái)說(shuō)成本太高,但對(duì)于服務(wù)器平臺(tái)來(lái)說(shuō)容量更為重要。目前,Zen4 架構(gòu)的 EPYC 7004 系列可以做到 96 大核或者 128 小核,這意味著其對(duì)內(nèi)存的需求越來(lái)越高。
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